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基础知识>Follow me Radio跟我学无线电>第二章:使用FET(场效应管)高频放大器的设计-制作(1)

  日期:2006-01-11 12 作者: 来源:microearonline.com
《高频电路设计与制作》第二章高频放大器设计与制作2-2

使用FET(场效应管)高频放大器的设计-制作

(第一部分)高频---FM广播频段用小信号放大器应具备的特征 定下设计方向---杂音要低

  《高频电路设计与制作》章节目录
第一章高频电路基本常识
第二章高频放大器设计与制作
第三章高频振荡电路的设计与制作
第四章PLL数字锁相环电路设计与制作
第五章变频器电路设计与制作
第六章FM频率调制/解调电路的设计制作
第七章AM幅度调制/解调电路设计与制作
第八章实用高频电测仪表制作
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  第二章高频放大器设计与制作   查看本章节详细目录

2-1 高频信号放大器所应具备的特征
2-2 使用FET(场效应管)高频放大期的设计-制作
高频---FM广播频段用小信号放大器应具备的特征 定下设计方向---杂音要低
输入回路设计目标---最小杂音匹配 放大部分设计---使用零偏压 输出回路设计目标---输出负载转化为50Ω
高频率印刷电路基板PCB设计时的要点
FM调谐器用高频率放大器的调整方法 功率增益与频率特性的测试
2-3 使用IC的宽频带放大器的设计-制作
2-4 宽频带功率放大器的设计-制作
第二章 高频放大器设计与制作
2-2 使用FET(场效应管)高频放大期的设计-制作(第一部分)
    高频……FM广播频带用小信号放大器应具备的特性
    今以最常见到的可以将FM广播电波放大的高频放大器为例说明,使用于离广播电台的距离很远,所接收到的FM广播电波较弱,无法得到良好的立体广播接收效果等类似情况。
    此时,如果利用高频放大器将天线所接收的信号放大後,再输入调谐器时,便可以得到良好的立体广播。
    由於为FM广播,利用高频放大器放大,其目的是改善信号讯杂比。假设FM广播带的频率为76M~90MHz(译者注:我国FM广播频率范围是88MHz~108MHz),则高频放大器所需要的频带宽为90M-76M=14MHz。可是,对於特定的地区而言,由於FM广播电台所发射的频率已经决定了,故实际电路并非需要100%完整含盖此一FM频带的宽度。在这里,可以设定高频小信号放大器的输入电路与输出电路的频带宽为10MHz
    由天线所输入的信号很微弱,将此微弱信号放大的电路,也有将此电路称为前置放大器(Pre-Amp)的。对於此一高频小信号放大器所要求的特性如下:
    (1)只允许通过所需要的频带(Q:选择性)
    (2)
功率增益要足够大(Gp:功率增益)
    (3)
放大器本身所产生的杂讯很小(NFNoise Figure)
    (4)
放大器的线性要宽广。
    定下设计方向---低杂讯
    表1所示的是本高频小信号放大器的设计要求,输入输出阻抗与同轴电缆线的特性阻抗匹配,定为50Ω
    如果所通过的频带为78M~88MHz,频带宽BW成为10MHz,则中心频率为83MHz
    放大器的功率增益Gp定为20dB(100)以上,在放大器内所产生的杂讯指数NF(Noise Figure)3 dB以下。
    以下说明可以满足表1规格的元件与电路方式的选择方法。
(选择能够满足此一规格条件的FET。其功率增益为20dB,将信号放大为100)
 
电源电压 10V
输入阻抗 50Ω
输出阻抗 50Ω
中心频率 83MHz
功率增益 20dB(min)
杂讯指数(NF 3dB(max)
最高工作温度 60℃
频带宽 输入回路,输出回路均设计频带宽为10MHz
5 FM调谐器用高频放大器的方块图
(针对各方块图的重点来展开电路的设计,例如,输入输出回路的重点是为取得所必要的频带宽,需要设计适当
的选择性,另外也要注意阻抗变换,放大部的目的是得到良好的信号放大)
    图5所示的是高频小信号放大器的方块图,为了得到低杂讯,使用FET代替2SC型式的高频晶体管。
    图6所示的是FET 2SK241(东芝)的规格,此元件一般供FM调谐器所使用,功率增益Gp28dB(typ),杂讯指数NF1.7dB(typ)
    高频放大电路为了能得到稳定的放大作用,般均采用栅极接地的方式,其目的是为了减少回授电容量Grss,但此一制作如图7所示,使用的却是源极接地放大电路,为什么呢?
2SK241一般用途:FM调谐器用、VHF频带放大用管。 基本特点:
.杂讯指数小:NF=1.7dB(标准)
.功率杂讯大:Gp=28dB(标准)
.回授电容量小:Grss=0.035pF(标准)
.使用电压范围:5~15V
2SK241最大极限参数(Ta=25℃
参数 符号 额定值 单位
漏极-源极间电压 VDS 20 V
栅极-源极间电压 VGS ±5 V
漏极电流 ID 30 mA
允许功耗 PD 200 mW
节温度 Tch 125
存储温度 Tstg -55~125
TOSHIBA 2SK241 PDF文件资料下载
Adobe Acrobat阅读软件下载(中文版)
2SK241一般电性能指标参数(Ta=25℃
参数 符号 测试条件 最小值 标准值 最大值 单位
栅极漏电流 IGSS VDS=0,VGS=±5V - - ±50 nA
栅极-源极间电压 VDSX VGS=-4V,ID=100µA 20 - - V
漏极电流 IDSS(注) VDS=10V,VGS=0 1.5 - 14 mA
栅极-源极间关断电压 VGS(OFF) VDS=10V,ID=100µA - - -2.5 V
顺向转移导纳
 

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